Visite d'usine

GROUPE DE HOREXS

Processus de fabrication de Maily

Processus de TENTING (35um)-- Tenting amélioré (L/S : 20/20um) -- SAP (matière première d'ABF/BT, L/S : 10/10um) ;

Fabrication de système de fabrication de MES+ERP, futée et entièrement automatique.

Voici notre processus de fabrication de Tenting

           Perçage            ⇒         Électrodéposition          ⇒         Modèle    ⇒      Exposition    ⇒           Gravure à l'eau-forte         ⇒          AOI&VRS       ⇒   ⇒ de masque de soudure

   Électrodéposition de l'or    ⇒                ET              ⇒                AVI            ⇒               FQC            ⇒           Nettoyage         ⇒           Packging

Horexs en tant qu'un des fabricants célèbres de substrat d'IC EN CHINE, nous soutenons 2-6L comprenant l'habillage pour des clients, pour quoi que votre produit employer. Puisque notre usine a construit, nous avons également construit notre équipe de R&D pour soutenir notre problème technique de client, ainsi, pendant l'OEM/ODM, quand vous voulez faire votre idée être réalité, vous sommes le contact bienvenu nous pour le soutien technique de la production.

Appui :

Substrat de liaison de fil

Liaison de fil (BGA)

Substrat incorporé (substrat de Memor y IC)

MEMS/CMOS, module (rf, radio, Bluetooth)

2/4/6L (1+2+1/2+2+2/1+4+1), trou (enterré/borgne) d'habillage

Flipchip CSP ;

Substrat de paquet de petite gorgée ;

D'autres ultra substrat de paquet d'IC

L'accueil nous contactent avec Gerber et caractéristiques !

Horexs gardent toujours un oeil étroit sur le dernier développement de l'industrie, et mettent à jour constamment la stratégie d'innovation de recherches et de technologie, en fournissant les solutions de empaquetage avancées de technologie de substrat, pour s'assurer que des sociétés dans le principal avantage de la technologie de l'industrie. la « petite amende » et « intégré » est comprenant la tendance de empaquetage d'application de substrat du développement de la chaîne d'industrie de semi-conducteur, ainsi, dans le suivant peu d'années, la société se concentrera sur les deux aspects de la recherche et développement et de l'innovation technologique. Le développement composant passif inclus de la société permet à quelques composants d'être intégrés dans le substrat de paquet. La taille de trou est 40um et ci-dessous, et la couche d'isolation est 25um et ci-dessous, solutions de permettre plus petites et plus compactes de paquet.

Pour protéger la recherche et développement et les technologies innovatrices, la société a et continuera à solliciter la protection de brevet dans le monde entier, incluant aux Etats-Unis, en Chine, au Japon, en Corée du Sud, à Taïwan, en Israël et les pays européens. La protection de brevet inclut les processus de fabrication et les structures de produit qui peuvent être mis en application par de nouvelles technologies. La stratégie de brevet protège non seulement la société contre les concurrents qui copient le processus de fabrication de la société, mais protège également la structure de produit de la société en empêchant des concurrents de faire des produits avec la structure semblable en imitant le processus de fabrication.

1-MEMS/CMOS (Sesors)

2-MiniLED (LED micro)

ligne de l'espace 3-Line/largeur► 35/35um l'espace de l'espace/►Line de la largeur 20/20um/largeur 10/10um

Substrat de paquet de la mémoire du substrat 4-IC (BGA) FCCSP

substrat du paquet 5-Sip/BGA/Memory/CSP

Les matériaux soutiennent le matériel de BT+ABF (ABF dans la 2n/3rd étape de HOREXS Hubei)